بلاگ

CTK PDFN5 MOSFET ڈیٹا شیٹ اور تفصیلات

ریکٹیفائر پل کی وولٹیج برداشت کرنے کی صلاحیت اس کی ساخت اور مواد پر منحصر ہے۔ فلیٹ پل ڈھانچے، اپنے کمپیکٹ ڈیزائن کی وجہ سے، عام طور پر اعلی وولٹیج کو

الیکٹرانک سرکٹس میں ایک ناگزیر جزو کے طور پر، ریکٹیفائر پل کی کارکردگی کا استحکام پورے سرکٹ کے نارمل آپریشن کو براہ راست متاثر کرتا ہے۔ لہذا، ریکٹیفائ

ایک رییکٹیفائر برج عام طور پر کافی بڑا انڈکٹو بوجھ رکھتا ہے، اس طرح موجودہ وقفے کو روکتا ہے۔ عام ایپلی کیشنز میں، ایک ہموار کرنے والا ری ایکٹر ریکٹیفا

معیاری وولٹیج پر ڈیپلیشن-موڈ فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر (FETs)۔ بائیں سے دائیں: جنکشن FET، پولی سیلیکون میٹل-آکسائڈ-سیمک کنڈکٹر FET، ڈوئل-گیٹ میٹل-آکسائڈ-سیمک

MOSFETs کے محفوظ استعمال کے لیے، سرکٹ ڈیزائن کو پیرامیٹرز کی حد سے تجاوز نہیں کرنا چاہیے جیسے کہ بجلی کی کھپت، زیادہ سے زیادہ ڈرین-ذریعہ وولٹیج، زیادہ

مزاحمتی طریقہ سے الیکٹروڈ کی پیمائش: جنکشن فیلڈ-اثر ٹرانجسٹر (JFET) میں PN جنکشن کی فارورڈ اور ریورس ریزسٹنس ویلیوز میں فرق کی بنیاد پر JFET کے تین ال

ایک فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر (FET) کا ماخذ (s)، گیٹ (g)، اور ڈرین (d) بالترتیب ٹرانزسٹر کے ایمیٹر (e)، بیس (b) اور کلیکٹر (c) سے مطابقت رکھتے ہیں، اور ان کے

یہ ایک موصل-گیٹ فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر ہے۔ اس کی اہم خصوصیت دھاتی دروازے اور چینل کے درمیان سلکان ڈائی آکسائیڈ کی موصلیت کی تہہ کی موجودگی ہے، جس کے نتیجے

فیلڈ-اثر ٹرانزسٹرز (FETs) کو بڑے پیمانے پر دو زمروں میں تقسیم کیا گیا ہے: جنکشن فیلڈ-اثر ٹرانزسٹرز (JFETs) اور انسولیٹڈ-گیٹ فیلڈ-اثر ٹرانزسٹرز (MOS ٹر

فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر کی خصوصیات

ٹرانجسٹر یمپلیفائر سرکٹ