فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر کے اہم پیرامیٹرز

ڈی سی پیرامیٹرز

سیچوریشن ڈرین کرنٹ (IDSS): ڈرین کرنٹ کے طور پر بیان کیا جاتا ہے جب گیٹ-ذریعہ وولٹیج صفر ہو، لیکن ڈرین-ذریعہ وولٹیج پنچ-آف وولٹیج سے زیادہ ہو۔

پنچ-آف وولٹیج (UP): UDS کے مستقل ہونے پر ID کو بہت چھوٹے کرنٹ تک کم کرنے کے لیے درکار UGS کے طور پر بیان کیا جاتا ہے۔

ٹیک-وولٹیج (UT): UDS کے مستقل ہونے پر ID کو ایک خاص قدر تک لانے کے لیے درکار UGS کے طور پر بیان کیا جاتا ہے۔

AC پیرامیٹرز
AC پیرامیٹرز کو دو قسموں میں تقسیم کیا جا سکتا ہے: آؤٹ پٹ مزاحمت اور کم-فریکوئنسی ٹرانس کنڈکٹنس۔ آؤٹ پٹ مزاحمت عام طور پر دسیوں اور سینکڑوں کلوہیم کے درمیان ہوتی ہے، جبکہ کم-فریکوئنسی ٹرانس کنڈکٹنس عام طور پر چند دسویں سے چند ملی سیورٹس کی حد میں ہوتی ہے، کچھ 100 ms یا اس سے بھی زیادہ تک پہنچ جاتی ہے۔

کم-فریکوئنسی ٹرانس کنڈکٹنس (gm): ڈرین کرنٹ پر گیٹ-ذریعہ وولٹیج کے کنٹرول اثر کو بیان کرتا ہے۔

انٹر-الیکٹروڈ کیپیسیٹینس: ایک MOSFET کے تین الیکٹروڈ کے درمیان کیپیسیٹینس۔ ایک چھوٹی قدر بہتر ٹرانزسٹر کی کارکردگی کی نشاندہی کرتی ہے۔

پیرامیٹرز کو محدود کرنا

① زیادہ سے زیادہ ڈرین کرنٹ: ٹرانزسٹر کے نارمل آپریشن کے دوران قابل اجازت ڈرین کرنٹ کی اوپری حد۔

② زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت: ٹرانجسٹر کی طاقت، ٹرانزسٹر کے زیادہ سے زیادہ آپریٹنگ درجہ حرارت سے محدود۔

③ زیادہ سے زیادہ ڈرین-ذریعہ وولٹیج: وہ وولٹیج جس پر برفانی تودے کا ٹوٹنا ہوتا ہے، جب نالی کا کرنٹ تیزی سے بڑھنا شروع ہوتا ہے۔

④ زیادہ سے زیادہ گیٹ-ذریعہ وولٹیج: وہ وولٹیج جس پر گیٹ اور سورس کے درمیان ریورس کرنٹ تیزی سے بڑھنا شروع ہوتا ہے۔

مندرجہ بالا پیرامیٹرز کے علاوہ، دیگر پیرامیٹرز ہیں جیسے کہ انٹر-الیکٹروڈ کیپیسیٹینس اور ہائی-فریکوئنسی پیرامیٹرز۔

ڈرین اور سورس بریک ڈاؤن وولٹیج: جب ڈرین کرنٹ تیزی سے بڑھتا ہے تو برفانی تودے کے ٹوٹنے کے دوران UDS (اوپر ڈیمانڈ) ہوتا ہے۔

گیٹ بریک ڈاؤن وولٹیج: جنکشن فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر (JFET) کے نارمل آپریشن کے دوران، گیٹ اور سورس کے درمیان PN جنکشن ریورس-متعصب ہوتا ہے۔ اگر کرنٹ بہت زیادہ ہے تو خرابی واقع ہوگی۔

استعمال کے دوران توجہ مرکوز کرنے کے لئے اہم پیرامیٹرز ہیں:

1. IDSS-سیچوریشن ڈرین-ذریعہ کرنٹ۔ اس سے مراد ڈرین-جنکشن یا ڈیپلیشن میں سورس کرنٹ-قسم کی موصلیت-گیٹ فیلڈ-اثر ٹرانجسٹر ہے جب گیٹ وولٹیج UGS=0.

2. UP-چٹکی-آف وولٹیج. 3. **UT-ٹیک-وولٹیج پر:** گیٹ وولٹیج جس پر ڈرین-ذریعہ جنکشن صرف ایک جنکشن میں بند کیا گیا ہے-قسم یا ڈیپلیشن{9}} میں{8}} فیلڈ-اثر ٹرانزسٹر (IGFET)۔

4. gM-ٹرانس کنڈکٹنس: ڈرین کرنٹ ID پر گیٹ-ذریعہ وولٹیج UGS کی کنٹرول کی اہلیت کی نمائندگی کرتا ہے، یعنی، ڈرین کرنٹ ID میں تبدیلی کا گیٹ-ذریعہ وولٹیج UGS میں تبدیلی کا تناسب۔ IGFET کی امپلیفیکیشن صلاحیت کی پیمائش کے لیے gM ایک اہم پیرامیٹر ہے۔

5. BUDS-ڈرین-ذریعہ بریک ڈاؤن وولٹیج: زیادہ سے زیادہ ڈرین-ذریعہ وولٹیج جسے IGFET عام آپریشن میں برداشت کر سکتا ہے جب گیٹ-ذریعہ وولٹیج UGS مستقل ہو۔ یہ ایک محدود پیرامیٹر ہے؛ IGFET پر لاگو آپریٹنگ وولٹیج BUDS سے کم ہونا چاہیے۔

6.PDSM-زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت: ایک محدود پیرامیٹر بھی، یہ IGFET کی کارکردگی کو کم کیے بغیر زیادہ سے زیادہ قابل اجازت ڈرین-ذریعہ بجلی کی کھپت کا حوالہ دیتا ہے۔ استعمال میں، IGFET کی اصل بجلی کی کھپت PDSM سے ایک مخصوص مارجن کے ساتھ کم ہونی چاہیے. 7. **IDSM-زیادہ سے زیادہ ڈرین-موجودہ ماخذ:** IDSM ایک محدود پیرامیٹر ہے جو ٹرانسفیکٹ نارمل آپریشن کے دوران ڈرین اور ماخذ کے درمیان گزرنے کے لیے زیادہ سے زیادہ کرنٹ کا حوالہ دیتا ہے{7}})۔ FET کا آپریٹنگ کرنٹ IDSM سے زیادہ نہیں ہونا چاہیے۔